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Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 4.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 μ s
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 μ s
10
10
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
100 μ s
1 ms
10 ms
DC
1
0
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
DC
100 μ s
1 ms
10 ms
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
-2
0
1
2
3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP8N80C
10
8
6
4
2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF8N80C
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N80C / FQPF8N80C / FQPF8N80CYDTU Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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